硒化铟

中文名称: 硒化铟

英文名称：Indium selenide,

别名：硒化铟(III) 块状，三硒化二铟

分子式: H2In2Se3

  

分子量: 466.52

CAS号： 12056-07-4

质检信息

检验项目          指标   

含量,             ≥99.9%（高纯试剂）

水溶解试验 合格

水不溶物,％ ≤0.02

禁带宽度： 0.5eV

PSA：            0.79000

LOGP：           -0.91740

化学特性

硒化铟又称三硒化二铟是一种铟硒化物,Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化学组成，暗黑色鳞块状,为新型的半导体功能材料，对湿敏感，密度5.67 g/mL at 25 °C(lit.)熔点890°C是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。能与氢、卤素直接化合。溶于浓硫酸、三氯甲烷、稀氢氧化碱溶液、氰化钾溶液和亚硫酸钾溶液，微溶于二硫化碳，不溶于水、乙醇。

产品用途

硒化铟用作材料科学。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一种N型半导体化合物，可以应用于光电转化、光电传感器、光催化、电子器件等领域。高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。

制备出的被六方晶氮化硼封装在无水无氧环境中的少层InSe是高质量光学和电子传输器件材料。在室温和液氦温度下的载流子迁移率分别超过10^3 cm^(2)V^(-1)s^(-1)和10^4 cm^(2)V^(-1)s^(-1)。而且，超薄InSe由于具有宽带隙，可以允许晶体管很容易实现开/关，可被用于制作高速电子器件。由于半导体材料的光电功能（包括光吸收、发射和调制）取决于带隙大小，光致发光光谱实验表明其带隙在从块体状InSe到双层InSe转变时增加了0.5eV，超薄InSe在光电子领域的应用前景充满光明。

生产方法

通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有四种二元化合物：In4Se3，InSe，In5Se6，In2Se3。在密闭的真空管中，按正确比例熔化组成元素能制得每种化合物。

单晶硒化铟可以用 Bridgman–Stockberger 法制备，以一定比例的硒单质和铟单质为原料，在管式炉中高温长时反应，能制得硒化铟的每种化合物。

In2Se3的水热法合成研究较晚，将抗坏血酸在60℃条件下溶于乙醇溶液中，然后加入InCl3和Se粉，装入反应釜中后在220℃高温下保持20小时，得到了直径为2-4μm的花状γ-In2Se3球体。

 

产品信息
[重量]	5g
[颜色]	黑色