前面文章讲述的晶体结构都是理想结构，这种结构只在特殊条件下才能得到。实际晶体，大都存在结构的缺陷，这些缺陷对晶体的一些物理性质，如电性、磁性、光学性及机械性能等产生重要影响。晶体缺陷通常有点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。

    热缺陷是较普遍的一种点缺陷。热缺陷是由于晶体中原子或离子的热运动造成的。热缺陷的数量与温度有关，温度越高，造成缺陷的机会越多。晶体中热缺陷有两种形态：一种是肖脱基（Schootty）缺陷，另一种是弗仑克尔（Frenkel）缺陷。

肖脱基缺陷
    如图4－38所示，靠近近表面层的阴、阳离子由于热运动跑到晶体表面或晶界位置上，形成一层新的界面，产生空位。然后，内部邻近的离子进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。
弗仑克尔缺陷
    如图4－39所示，一种离子脱离平衡位置挤入晶体间隙位置，形成间隙离子，原来位置形成空位。这种缺陷的特点是间隙离子与空位成对出现。

    由于晶体缺陷引起格点发生畸变，使正常晶体结构受到一定程度的破坏，从而导致晶体的某些性质发生变化。例如，对于金属晶体来说，由于缺陷引起晶格畸变使电阻率增大，导电性能下降，而对于半导体材料而言，晶体的某些缺陷却会增加半导体的电导率。
    实践中，我们经常利用缺陷，使晶体具有某些特殊性质。例如，掺杂常引起缺陷，向ZnS晶体中掺进少量AgCl后，在电子射线激发下，可发射波长为450nm的荧光，是彩色电视屏幕上的蓝色荧光粉。
    此外，实际应用的固体多是多晶体，它是由许多微小的单晶体组成，而这些单单晶体在堆砌时晶面常出现相互倾斜，不能实现格点严格的周期性排列，使得多晶体的结构常偏离理想晶体。

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